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芯片封装内MLCC的技术特点

作者:深圳市泰克光电科技有限公司 浏览: 发表时间:2023-05-04 08:37:07

芯片本来是由晶圆刻画形成不同电路,随着芯片的小型化和多功能集成化发展,单个芯片承载着诸多复杂的功能,很多外围电路和器件都集成了单个芯片里面。相对于常规的在PCB板上贴装的场景,芯片内空间小,温度高,稳定性要求高,这对内埋的元器件要求也更高。


芯片智能的升级,带动MLCC从PCB延伸至到芯片封装内部。集成化的模块与芯片发展迅速,工艺极致精密,SIP的封装,算力持续提升,随之使用的MLCC要求超微型、低损耗、高容量、高耐温等特性。


“超微型”是芯片内封装MLCC的主要特点,01005/008004尺寸MLCC,超小体积、超薄高度的特点,非常适合芯片内空间小的场景。相对于消费类电子产品大量用的MLCC,芯片内的小型化程度要提前1-2代,比如目前市场上用量最大的是0201尺寸的MLCC,旗舰智能手机、高精模组及智能穿戴产品开始带动01005尺寸MLCC使用,但在芯片内,主流的已经是01005,先进的产品里面已经大量使用008004尺寸的MLCC。


高耐温MLCC主要是针对100nF及以上的这类C0G和X7R材料在小尺寸中很难达到的容量,将其温度从X5R的85℃提升到105℃或者125℃),以提升其在高温环境中工作的稳定性和可靠性。



射频芯片是重要的一类芯片,对配套元器件的射频性能要求非常高,对MLCC的需求逐渐趋于超微型、高精度、高Q类产品。目前, 射频微波芯片2G手机已大量采用CMOS技术,3G/4G/5G制式仍以GaAs为主。但随着封装密度提升,对于射频PA模组中MLCC内置尺寸规格由0201尺寸全面过渡01005尺寸。其中决定射频PA关键功能特性主要是射频类MLCC用于射频链路阻抗匹配。 


射频MLCC通过元件内部结构的设计改良、微波陶瓷介质材料,以及低损耗特性的铜电极材料,实现低 ESR,强抗干扰,高SRF等特性的MLCC,对于射频信号处理的处理效果非常理想。


倒置式MLCC即将MLCC的长宽倒置,缩短内电极,增加电极的层数,从而缩短高频电流路径,降低ESL,降低电路失真,维护射频信号的保真度。


信息来源:微容科技

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