陶瓷基板特性:
A.目前薄膜工艺所需花费时间相当长且单价较为昂贵,我司结合曝光显影制程以及传统厚膜高温烧结银制程,使得产线站数减少,人力支出减少,以及设备推提和维护均大幅降低成本,更因站数减少,使得制程流程加快。
B.LED因散热问题,动则就要使用氮化铝基板,不但添加成本,更因氮化物对材料附着常出现金属脱落等问题,我司利用高温烧结银以及自有技术,能将原本只能排列在周边的导通孔,直接加大并且排列在芯片正下方。使其成为直接贯穿Z轴方向之导通柱,让氧化铝的散热特性不输给氮化铝基板。更不会因为通孔不规则形状而影响固晶。
规格参数:
| 支架型 | 载板型 | molding |
载体材料 | Cu | AI203 | 硅胶/环氧 |
导通柱 | 含银量90%-95%高温银浆/整体铜柱 | ||
导通柱直径 | 200-250um | ||
墙体结构 | 硅胶 | ||
墙体颜色 | 白色 | 黑色 | 透明 |
墙体高度 | 0.25-1mm | ||
耐受温度 | MAX250度/3小时 |
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